Электронные

Электронные микроскопы

При проведении анализа образца с помощью электронной микроскопии поверхность образца сканируется точно сфокусированным пучком электронов. Облучение электронами приводит к излучению вторичных электронов, обратному рассеянию электронов высокой энергии и возникновению рентгеновских лучей, характеристики которых зависят от элементов образца.

Фильтр по товарам
Фильтр по типу «Применение»

Наука о живом

Электроника

Природные ресурсы

Материаловедение

Металлургия

Фильтр по названию
Применить фильтр
Сбросить параметры
Certus-3D Wafer
Диаметр обрабатываемого образца
200 мм и 300 мм
Пропускная способность
20 образцов в час
CLM-3D™ Fully-automated Fab
Диаметр обрабатываемого образца
200 мм и 300 мм
Интерфейс
Графический IC3D
Режим работы
Автоматический
Defect Analyzer 300 HP
Напряжение электронного пучка
200 В - 30 кВ
Напряжение ионного пучка
5 кВ - 30 кВ
Разрешение в режиме электронов
5 нм
Пользовательский интерфейс
Icon-привод, WindowsTM 2000 GUI