Vion Plasma FIB является инструментом, способным проводить очень точную резку и травление с высокой скоростью. Он обладает возможностью избирательно травить нужные области образца. Кроме того, микроскоп может выборочно наносить структуры проводников и изоляторов.
Совместно используя высокоскоростное травление и точный контроль, система может использоваться для изготовления интегральных схем в различных областях, например, для анализа повреждений при столкновениях, разрывах проводов связи, для анализа дефектов в плотноупакованных структурах MEMS-устройств.
Устройство состоит из объемной вакуумной камеры и колонны сфокусированного ионного луча с плазменным источником ионов (Plasma Focused Ion Beam). Колонна PFIB производит положительно заряженный пучок ионов. Контролируя продолжительность и место, куда направлен ионный пучок, луч может быть использован в качестве высокоточного инструмента для травления.
Источник плазмы обеспечивает токи пучка в 20 ~ 100000 раз более высокие, чем традиционные ФИП на основе галлия, сохраняя при этом все возможности использования низкого тока пучка. Кроме того, в камеру могут быть введены различные газы, изменяющие взаимодействие пучка с поверхностью образца и вызывающие осаждение материала (изолятора или проводника). С введением других газов скорость травления может быть селективно модифицирована – ускорится травление кремния, а не проводника, или наоборот.
Основные преимущества:
- Повышение производительности с увеличением скорости травления более чем в 20 раз
- Быстрое и точное приготовление срезов позволяет исследовать дефекты и особенности под поверхностью образца
- Широкий спектр токов пучка для травления и получения изображений
- Использование возможностей химического осаждения для защиты от повреждений характерных особенностей поверхности
- Дополнительный доступ к задней стороне схемы с запатентованной системой коаксиальной подачи газа
