Прецизионная двухлучевая система Helios G4 обладает несколькими модификациями, позволяющими сконфигурировать и адаптировать систему под самые сложные задачи для высокоточных исследований или обеспечения производства. Получаемые двух и трехмерные изображения изучаемых объектов могут быть дополнены информацией о химическом составе, подготовке образцов для просвечивающей микроскопии, а также модификацией поверхности и нанопрототипированием.
Технология электронной колонны Elstar FESEM обеспечивает наилучшую детализацию объектов в нанометровом диапазоне. Новейшие ионные колонны, использующие ионы галлия (Ga), или плазменная колонна с ионами ксенона (Xe) обладают выдающимися характеристиками и максимальной плотностью луча, даже на малых токах. Система детектирования микроскопов серии Helios состоит из трех детекторов, расположенных внутри электронной колонны, обеспечивая непревзойденный материальный и топографический контрасты.
Ионы - 0,1 пA - 65 нA
