Цель работы.

Освоение современных методов просвечивающей электронной микроскопии; в том числе, электронной микроскопии высокого разрешения, в исследовании материалов.

Аннотация.

Современная просвечивающая электронная микроскопия - один из наиболее мощных методов исследования микроструктbры различных объектов. Предел разрешения современных приборов менее 0,1 нм, рядовых приборов около 0,2 нм. Приборы снабжены гониометрами с большими углами поворота, позволяющие получать изображения и дифракционные картины в разных проекциях, использовать различные дифракционные условия. Такое разрешение позволяет получать изображение кристаллической решетки большинства материалов. Кроме того, в современных приборах возможно использование сходящегося пучка и пробы малого размера (2-3 нм) для исследования областей в диапазоне до 10 нм. Для получения изображений кристаллической решетки и исследования с пробой малого диаметра необходима высокопрецизионная юстировка прибора, для данного метода она часто является критическим фактором, определяющим работу прибора. Как правило большинство просвечивающих электронных микроскопов снабжены системами микроанализа: EDXS - энергодисперсионный микроанализ и EELS – анализ потерь энергии электронов.

Данный практикум предназначен для ознакомления с принципами работы просвечивающего электронного микроскопа, с юстировкой и основами исследования кристаллических материалов, в том числе и методом электронной микроскопии высокого разрешения. Кроме этого предусмотрено освоение методов EDXS и EELS.

Экспериментальная база.

Просвечивающий электронный микроскоп Philips CM-30T TEM/STEM, оборудованный системами EDXS и EELS.